砷化鎵（gallium arsenide），化學式GaAs，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，由砷和鎵兩種元素化合而成，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬，是當代國際公認的繼"硅（Silicon）"之后**的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性，是光電子和微電子工業**的支撐材料之一。

在光電子工業領域應用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LD（激光器）、LED（發光二極管）、光電集成電路（OEIC）、光伏器件等；
在微電子工業領域應用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導體場效應管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質結雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。

主要涉及**軍事電子應用、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。作為重要的半導體材料，GaAs的電子遷移率為硅和氮化鎵的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率損耗，因此在手機通訊、局域無線網、GPS和汽車雷達等領域中占主導地位。