| 材質 | 合金 |
|---|---|
| 產地 | 江西 |
| 粒度 | 100目 |
| 品名 | GeAsSeTe |
| 銷售方式 | 直銷 |
| 運輸方式 | 空運 |
| 執行標準 | 國標 |
| 種類 | 相變存儲 |
| 執行質量標準 | 國標 |
| 稀有金屬含量 | 0.97 |
GeAsSeTe靶材，純度99.999%，新一代半導體相變存儲材料，閃存記憶材料，可做各種比例， 尺寸范圍：2英寸~18英寸大小都可生產，
閃存卡概念
閃存卡的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞），常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電后（譬如負電荷**在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為**級浮空柵，后者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，**浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入**浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使**級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除后可重新寫入。
閃存的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是**層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入**級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用**級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節擦除，而是全片或分塊擦除。 到后來，隨著半導體技術的改進，閃存也實現了單晶體管（1T）的設計，主要**是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決于在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
閃存**如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說**是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸“1”。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什么也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子**會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動**會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子**會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收后，很難對溝道產生影響。
