材質(zhì)	合金
產(chǎn)地	江西
粒度	100目
品名	GeAsSeTe
銷售方式	直銷
運(yùn)輸方式	空運(yùn)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)	國標(biāo)
種類	相變存儲(chǔ)
執(zhí)行質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)	國標(biāo)
稀有金屬含量	0.97

GeAsSeTe靶材，純度99.999%，新一代半導(dǎo)體相變存儲(chǔ)材料，閃存記憶材料，可做各種比例， 尺寸范圍：2英寸~18英寸大小都可生產(chǎn)，

閃存卡概念

閃存卡的存儲(chǔ)原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路（存儲(chǔ)細(xì)胞），常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個(gè)高濃度的P型區(qū)，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個(gè)多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電后（譬如負(fù)電荷**在其下面，源極和漏極之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入1。
EEPROM基本存儲(chǔ)單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個(gè)浮空柵，前者稱為**級浮空柵，后者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個(gè)電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，**浮空柵極與漏極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入**浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負(fù)電壓，強(qiáng)使**級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除后可重新寫入。
閃存的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是**層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進(jìn)入**級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用**級浮空柵與源極之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮空柵的負(fù)電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯(lián)在一起，這樣，快擦存儲(chǔ)器不能按字節(jié)擦除，而是全片或分塊擦除。 到后來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)，閃存也實(shí)現(xiàn)了單晶體管（1T）的設(shè)計(jì)，主要**是在原有的晶體管上加入了浮動(dòng)?xùn)藕瓦x擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導(dǎo)的半導(dǎo)體上形成貯存電子的浮動(dòng)棚。浮動(dòng)?xùn)虐粚庸柩趸そ^緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導(dǎo)電流的選擇/控制柵。數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動(dòng)?xùn)胖惺欠裼须娮印Ｓ须娮訛?，無電子為1。
閃存**如同其名字一樣，寫入前刪除數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化。具體說**是從所有浮動(dòng)?xùn)胖袑?dǎo)出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”。
寫入時(shí)只有數(shù)據(jù)為0時(shí)才進(jìn)行寫入，數(shù)據(jù)為1時(shí)則什么也不做。寫入0時(shí)，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導(dǎo)的電子能量。這樣一來，電子**會(huì)突破氧化膜絕緣體，進(jìn)入浮動(dòng)?xùn)拧?br>讀取數(shù)據(jù)時(shí)，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動(dòng)?xùn)艣]有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為1）下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時(shí)向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動(dòng)**會(huì)產(chǎn)生電流。而在浮動(dòng)?xùn)庞须娮拥臓顟B(tài)（數(shù)據(jù)為0）下，溝道中傳導(dǎo)的電子**會(huì)減少。因?yàn)槭┘釉跂烹姌O的電壓被浮動(dòng)?xùn)烹娮游蘸螅茈y對溝道產(chǎn)生影響。