分辨率	3/5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器
靈敏度	5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器
漂移	InGaAsPIN
輸出信號	模擬型
線性度	InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器
制作工藝	陶瓷
重復性	3/5mm InGaAsPIN
遲滯	5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器
品牌	mezen
型號	銦鎵砷光電探測器

 3/5mm InGaAsPIN  銦鎵砷光電探測器

        通過對InGaAs材料的光譜響應特性分析，以及對InGaAs材料的一系列優(yōu)點了解，表明了InGaAs是一種在短波紅外領域極有前景的探測器材料。如今，國外高性能、大面陣的InGaAs焦平面陣列技術獲得比較成熟的發(fā)展，已在科學、軍事、民用等方面的微光夜視**制導、空間遙感、近紅外光譜分析、工業(yè)控制、生物醫(yī)療和航天航空等領域獲得廣泛的應用；而在國內(nèi)，InGaAs焦平面陣列的研究起步較晚，能夠成功工程化應用的產(chǎn)品還很少。因此，加快InGaAs短波紅外探測器的研制，特別是近室溫InGaAs短波紅外焦平面探測器的研制和開發(fā)，對我國的紅外事業(yè)而言具有非常重要的戰(zhàn)略意義。

 （1）各模塊應以同一方式處理，作為普通半導體器件防止靜電損壞，對安全性和攜帶性，各模塊應采用防靜電材料，在印刷電路板上組裝模塊工作臺，焊接鐵和人體應接地。（2）請?zhí)貏e注意大氣狀況，因為該露水在模塊可能會導致一些電氣損壞。（3）在汽車、性能及不保證可靠性。