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江西科泰新材料有限公司

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鍺砷硒碲靶材 GeAsSeTe靶材 相變存儲材料

產品價格10000.00元/pcs

產品品牌江西科泰

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更新日期2022-08-03 13:37

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商品信息

基本參數

品牌:

江西科泰

所在地:

江西 南昌市

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未填

供貨總量:

10000 pcs

有效期至:

長期有效

材質:

合金

產地:

江西
詳細說明
材質 合金
產地 江西
粒度 100目
品名 GeAsSeTe
銷售方式 直銷
運輸方式 空運
執行標準 國標
種類 相變存儲
執行質量標準 國標
稀有金屬含量 0.97

GeAsSeTe靶材,純度99.999%,新一代半導體相變存儲材料,閃存記憶材料,可做各種比例, 尺寸范圍:2英寸~18英寸大小都可生產,

閃存卡概念

閃存卡的存儲原理,還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去,然后重新寫入。其基本單元電路(存儲細胞),常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路,簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似,是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區,通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中,與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0,浮空柵極帶電后(譬如負電荷**在其下面,源極和漏極之間感應出正的導電溝道,使MOS管導通,即表示存入0。若浮空柵極不帶電,則不形成導電溝道,MOS管不導通,即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似,它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵,前者稱為**級浮空柵,后者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極,使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓,**浮空柵極與漏極之間產生隧道效應,使電子注入**浮空柵極,即編程寫入。若使VG為負電壓,強使**級浮空柵極的電子散失,即擦除。擦除后可重新寫入。
閃存的基本單元電路,與EEPROM類似,也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是**層柵介質很薄,作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同,在第二級浮空柵加以正電壓,使電子進入**級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用**級浮空柵與源極之間的隧道效應,把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除,因此各單元的源極聯在一起,這樣,快擦存儲器不能按字節擦除,而是全片或分塊擦除。 到后來,隨著半導體技術的改進,閃存也實現了單晶體管(1T)的設計,主要**是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵,
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決于在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0,無電子為1。
閃存**如同其名字一樣,寫入前刪除數據進行初始化。具體說**是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸“1”。
寫入時只有數據為0時才進行寫入,數據為1時則什么也不做。寫入0時,向柵電極和漏極施加高電壓,增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來,電子**會突破氧化膜絕緣體,進入浮動柵。
讀取數據時,向柵電極施加一定的電壓,電流大為1,電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態(數據為1)下,在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓,源極和漏極之間由于大量電子的移動**會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態(數據為0)下,溝道中傳導的電子**會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收后,很難對溝道產生影響。

 
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