分辨率	3/5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
靈敏度	5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
漂移	InGaAsPIN
輸出信號(hào)	模擬型
線性度	InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
制作工藝	陶瓷
重復(fù)性	3/5mm InGaAsPIN
遲滯	5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
品牌	mezen
型號(hào)	銦鎵砷光電探測(cè)器

 3/5mm InGaAsPIN  銦鎵砷光電探測(cè)器

        通過(guò)對(duì)InGaAs材料的光譜響應(yīng)特性分析，以及對(duì)InGaAs材料的一系列優(yōu)點(diǎn)了解，表明了InGaAs是一種在短波紅外領(lǐng)域極有前景的探測(cè)器材料。如今，國(guó)外高性能、大面陣的InGaAs焦平面陣列技術(shù)獲得比較成熟的發(fā)展，已在科學(xué)、軍事、民用等方面的微光夜視**制導(dǎo)、空間遙感、近紅外光譜分析、工業(yè)控制、生物醫(yī)療和航天航空等領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用；而在國(guó)內(nèi)，InGaAs焦平面陣列的研究起步較晚，能夠成功工程化應(yīng)用的產(chǎn)品還很少。因此，加快InGaAs短波紅外探測(cè)器的研制，特別是近室溫InGaAs短波紅外焦平面探測(cè)器的研制和開(kāi)發(fā)，對(duì)我國(guó)的紅外事業(yè)而言具有非常重要的戰(zhàn)略意義。

 （1）各模塊應(yīng)以同一方式處理，作為普通半導(dǎo)體器件防止靜電損壞，對(duì)安全性和攜帶性，各模塊應(yīng)采用防靜電材料，在印刷電路板上組裝模塊工作臺(tái)，焊接鐵和人體應(yīng)接地。（2）請(qǐng)?zhí)貏e注意大氣狀況，因?yàn)樵撀端谀K可能會(huì)導(dǎo)致一些電氣損壞。（3）在汽車(chē)、性能及不保證可靠性。